拉普拉斯半导体及光伏高端设备研发制造基地项目
该项目位于广东省广州市黄埔区九龙大道北侧的牛牯村，中新广州知识城湾区半导体产业园，目用地面积约 36590 ㎡，地块容积率 4.0，计容建筑面积 146360.0 ㎡。本项目主要建构筑物：2 栋厂房，A 厂房地上 7 层，建筑高度 53.05m，B 厂房地上 7层，建筑高度 53.05m，宿舍及食堂楼 1 栋，地上 23 层，地上建筑高度约 78.30m。局部设地下室 3 层，最大开挖深度约 14m.
服务内容：建筑、结构、机电设备施工图设计优化
